Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7100DN
SI7100DN-T1-GE3 Hakkında
SI7100DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı pakete sahiptir. 3.5mΩ on-state direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konverterlerinde, motor sürücülerinde ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir. -50°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 52W güç saçabilme kapasitesi bulunmaktadır. Gate charge değeri 105nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3810 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok