Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6473DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6473DQ
SI6473DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6473DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 6.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSSOP yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (12.5mΩ @ 4.5V) ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri görür. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Maksimum 1.08W güç tüketimi ile batarya yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±8V kapı gerilimi aralığında çalışır. Not: Bu bileşen üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.08W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok