Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6467BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6467BDQ
SI6467BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6467BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj desteği ile tasarlanan bu bileşen, 6.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSSOP yüzey montaj paketi içerisinde sunulan transistör, 4.5V gate voltajında 12.5mOhm on-dirençine (RDS(on)) sahiptir. Gate yükü 70nC @ 4.5V olarak belirtilmiştir. Düşük RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve bas düzey sinyal anahtarlamada kullanılır. Component mevcut durumu itibariyle obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok