Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI6466DQ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI6466DQ

SI6466DQ Hakkında

SI6466DQ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 7.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 1320 pF input kapasitansı ve 20 nC gate charge karakteristikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulur. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, anahtarlı güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok