Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6465DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6465DQ
SI6465DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6465DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli iletim sağlar. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, batarya kontrol devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 80nC gate charge ve düşük sürüş gerilimi gereksinimleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok