Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI6465DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI6465DQ

SI6465DQ-T1-E3 Hakkında

SI6465DQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 8.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 12mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-TSSOP yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Batarya yönetimi, güç kaynakları, motor kontrol ve dijital güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş olup, alternatif bileşen kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 8.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok