Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6463DQ
P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6463
SI6463DQ Hakkında
SI6463DQ, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 8.8A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-TSSOP yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Rds(on) değeri 4.5V gate voltajında 12.5mΩ olup, düşük iletim direnci gerektiren anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponen, güç yönetimi devreleri, batarya uygulamaları ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate charge değeri 66nC ile hızlı anahtarlama sağlar. 600mW maksimum güç tüketimi ve ±12V maksimum gate voltajı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5045 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok