Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6463BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6463BDQ
SI6463BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6463BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss derecesi ile 6.2A sürekli drenaj akımına sahip olan bu bileşen, 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip olup, 60nC gate charge ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, batarya şarj kontrol devreleri, load switching ve analog/dijital elektronik uygulamalarında yer almaktadır. Ancak, ürün yaşadığı dönemde yaygın olarak kullanılsa da güncel üretim portföyünde bulunmamaktadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok