Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6463BDQ
SI6463BDQ-T1-E3 Hakkında
SI6463BDQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss rating ve 6.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik sağlar. 8-TSSOP yüzey montajlı paket kullanır. Gate charge 60nC (@5V) olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya şarj devreleri ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok