Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6459BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6459BDQ
SI6459BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6459BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 8-TSSOP SMD paketinde sunulmaktadır. 115mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate charge değeri 22nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve analog anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün günümüzde Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok