Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI6443DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI6443DQ

SI6443DQ-T1-GE3 Hakkında

SI6443DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 7.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate voltajında 12mΩ düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motorlu sistemlerin kontrolü ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 60nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 8.8A, 10V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok