Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6433BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6433BDQ
SI6433BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6433BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, 8-TSSOP yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 40mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj değeri 15nC olarak tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu bileşen, güç yönetimi, ters polarite koruması, load switching ve DC-DC konvertör uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi sonlandırılmış olup, stok kontrol önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.05W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok