Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI6423DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI6423DQ

SI6423DQ-T1-E3 Hakkında

SI6423DQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 8.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 8.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-TSSOP yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor kontrol, load switching ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok