Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6415DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6415DQ
SI6415DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6415DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.4A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 19mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen komponentin gate charge değeri 70nC'dir. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik anahtarlaması devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok