Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI6415DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI6415DQ

SI6415DQ-T1-E3 Hakkında

SI6415DQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-TSSOP yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. 10V gerilimde 19mOhm'luk düşük kanal direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sağlar. Anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, batarya yönetimi ve load switching uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok