Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI6413DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI6413DQ

SI6413DQ-T1-E3 Hakkında

SI6413DQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ile 7.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Güç yönetimi, anahtar kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve çeşitli analog/dijital uygulamalarda kullanılır. Bileşen aktüellenmiş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 8.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok