Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI6410DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI6410DQ
SI6410DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6410DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 8-pin TSSOP yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 7.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate geriliminde maksimum 14mOhm on-direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan SI6410DQ, kontrol elektronikleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 33nC gate yükü ve düşük RDS(on) değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok