Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5913DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5913DC
SI5913DC-T1-GE3 Hakkında
SI5913DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8-SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (84mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. Entegre Schottky diyot ile geri dönüş süresi kısaltılmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.7W (Ta) / 3.1W (Tc) güç dağıtma kapasitesi ile anahtarlama devreleri, LED sürücüleri, güç yönetimi ve batarya koruma sistemlerinde kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok