Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5858DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5858DU
SI5858DU-T1-GE3 Hakkında
SI5858DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilim ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 39mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direnci sunar. Dahili Schottky diyot özelliği sayesinde hızlı anahtarlama ve yüksek verimlilik sağlar. Gate charge değeri 16nC olup, hızlı komutasyon uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok