Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5858DU-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5858DU
SI5858DU-T1-E3 Hakkında
SI5858DU-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu transistör, 20V drain-source geriliminde 6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 39mOhm düşük on-direnci (Rds) ile güç kaybını minimize eder. Izole Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel elektronik anahtarlama devreleri için uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok