Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5857DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5857DU
SI5857DU-T1-GE3 Hakkında
SI5857DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK ChipFET Single paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot özelliği bulunmakta olup, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. Surface mount teknolojisiyle PCB'ye doğrudan monte edilir. Düşük gate charge değeri (17nC) hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok