Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5857DU-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5857DU
SI5857DU-T1-E3 Hakkında
SI5857DU-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V maksimum drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu bileşen, 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Schottky diyotu izole edilmiş yapısı sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Surface mount montaj tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücü uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi kullanım alanları vardır. Not: Bu ürün Obsolete (kullanım dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok