Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5856DC-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5856DC
SI5856DC-T1-E3 Hakkında
SI5856DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ile 4.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 40mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Isolated Schottky diyot özelliği içeren bu transistör, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devreleri tasarımında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile 1206-8 ChipFET paketi içinde sunulan komponentin çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasındadır. Maksimum 1.1W güç dissipasyonu ile elektrik tasarımı ve motor sürücü uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlı güç kaynağı devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok