Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5855DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5855DC
SI5855DC-T1-E3 Hakkında
SI5855DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama hızını iyileştirir. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount 8-SMD (1206-8) paket tipiyle kompakt tasarımlar için idealdir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 1.1W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve kontrol uygulamalarında kullanılır. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok