Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5855CDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5855CDC
SI5855CDC-T1-E3 Hakkında
SI5855CDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 1206-8 SMD paketinde sunulmaktadır. Entegre Schottky diyot özelliği ile ana anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 144mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve anahtarlama hızı gerektiren dc-dc dönüştürücü, güç yönetimi ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge (6.8nC) hızlı komütasyon imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 276 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok