Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5853DDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5853DDC
SI5853DDC-T1-E3 Hakkında
SI5853DDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 4A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-resistance değeriyle (105mOhm @ 4.5V) güç uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama devrelerinde ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir. 8-SMD flat lead paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (12nC) karakteristiği hızlı anahtarlama sağlar. Surface mount yapısı modern PCB tasarımlarına uygun olup, kompakt uygulamalar için idealdir. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok