Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5853DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5853DC
SI5853DC-T1-E3 Hakkında
SI5853DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 110mOhm maksimum on-direnci (Rds On) değerine ulaşır. Entegre Schottky diyot ile izole yapıya sahiptir. 1.1W maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Surface mount 8-SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve mobil cihazlarda enerji kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Parça aktif üretimden kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok