Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5618-TP
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5618
SI5618-TP Hakkında
SI5618-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 150 mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 9.5 nC olup hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Güç yönetimi, anahtarlamalar, load switching ve genel kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok