Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5499DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5499DC
SI5499DC-T1-GE3 Hakkında
SI5499DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount 8-SMD (1206-8 ChipFET) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda yerini alan alternatiflerin kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok