Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5485DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5485DU
SI5485DU-T1-GE3 Hakkında
SI5485DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu bileşen, 25mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 42nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok