Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5485DU-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5485DU

SI5485DU-T1-E3 Hakkında

SI5485DU-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde maksimum 25mΩ on-direnci sunarak anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK ChipFET Single paket ile kompakt PCB tasarımları için uygundur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi geniş endüstriyel kullanımı destekler. Güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve gerilim regülasyonu gibi analog ve dijital anahtar uygulamalarında kullanılır. 3.1W (Ta) / 31W (Tc) maksimum güç dağılımı ile orta güç seviyesi uygulamaları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFET™ Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok