Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5482DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5482DU
SI5482DU-T1-GE3 Hakkında
SI5482DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile çalışan bu transistör, PowerPAK ChipFET Single paket türünde surface mount olarak tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 15mOhm düşük on-state direnci sayesinde minimal güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 51nC gate charge ve 1610pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Maksimum ±12V gate gerilimi ile çalışan transistör, 3.1W (Ta) ve 31W (Tc) güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1610 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 7.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok