Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5482DU-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5482DU

SI5482DU-T1-E3 Hakkında

SI5482DU-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ile 12A sürekli drain akımına kapaklı bu bileşen, PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulmaktadır. 15mΩ (10V, 7.4A koşullarında) on-resistance değeri ile güç verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor denetimi ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda kullanılır. 51nC gate charge ve 1610pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.4A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFET™ Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok