Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5481DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5481DU
SI5481DU-T1-GE3 Hakkında
SI5481DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. PowerPAK ChipFET Single yüzey montajlı paket formatında sunulur. 22mOhm (4.5V, 6.5A) düşük on-direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 17.8W (Tc) güç dissipasyonuna sahiptir. Gate charge 50nC (@8V), input kapasitans 1610pF (@10V) değerlerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve genel analog anahtarlama devrelerinde kullanılır. Part status olarak obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1610 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok