Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5481DU-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5481DU

SI5481DU-T1-E3 Hakkında

SI5481DU-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source geriliminde maksimum 12A sürekli akım ile çalışabilir ve PowerPAK ChipFET paketinde sunulur. 4.5V gate geriliminde 22mOhm maksimum on-direnci ile düşük güç kaybında anahtarlama uygulamaları gerçekleştirir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama kaynakları, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 50nC gate yükü ve 1610pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Yüzey montajlı paketi nedeniyle kompakt tasarımlar için uygundur. (Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFET™ Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok