Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5479DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5479DU
SI5479DU-T1-GE3 Hakkında
SI5479DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® ChipFET™ Single paketlemesiyle yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde 21mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Gate yükü 51nC olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok