Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5476DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5476DU

SI5476DU-T1-GE3 Hakkında

SI5476DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 34mΩ maksimum on-direnci (10V Vgs'te) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 31W (Tc'de) güç dağıtım kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygunluk gösterir. Surface mount montajı PCB tasarımında yer tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFET™ Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok