Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5475DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5475DC
SI5475DC-T1-GE3 Hakkında
SI5475DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 31mΩ on-resistance değerine sahiptir. Surface mount 8-SMD (1206-8 ChipFET) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 29nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Maksimum 1.3W güç dağılımı kapasitesi vardır. Lütfen dikkat: Bu ürün üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok