Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5475DC-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5475DC
SI5475DC-T1-E3 Hakkında
SI5475DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltajında 5.5A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 31mOhm RDS(on) ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface mount 8-SMD (1206-8 ChipFET™) paketinde sunulan transistör, 4.5V gate voltajında çalıştırılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına ve 1.3W maksimum güç tüketimine sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi düşük voltaj devrelerde kullanılır. 29nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok