Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5475BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5475BDC
SI5475BDC-T1-GE3 Hakkında
SI5475BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ile 6A sürekli dren akımı sağlamaktadır. 4.5V gate geriliminde 28mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup, düşük iletim kayıpları için optimize edilmiştir. 40nC gate yükü ve 1400pF input kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Surface mount 1206-8 ChipFET paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, analog anahtarlama ve low-side kontrol devrelerinde uygulanmaktadır. Ürün üretim dışı (Obsolete) olup stok kontrol edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok