Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5475BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5475
SI5475BDC-T1-E3 Hakkında
SI5475BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim ve 6A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, yüksek entegrasyon düzeyine sahip 8-SMD ChipFET paketinde sunulmaktadır. 28mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel amaçlı dijital kontrol devreleri gibi endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok