Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5473DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5473DC
SI5473DC-T1-GE3 Hakkında
SI5473DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 5.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SMD (1206-8) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 1.3W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Bileşen ürün durum olarak üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok