Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5471DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5471DC
SI5471DC-T1-GE3 Hakkında
SI5471DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 4.5V gate geriliminde 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 96nC gate charge ve 2945pF input kapasitans karakteristiğiyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Surface mount 8-SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, batarya koruma, motor kontrolü ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2945 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok