Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5463EDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5463EDC
SI5463EDC-T1-GE3 Hakkında
SI5463EDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 3.8A sürekli akım kapasitesi ile çalışır. 4.5V gate voltajında 62mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Surface mount 8-SMD paket tipinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.25W maksimum güç tüketimiyle düşük güç uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığını destekler. ChipFET™ teknolojisiyle üretilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama ve düşük kapı yükü (15nC @ 4.5V) karakteristiği ile dikkat çekmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok