Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5461EDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5461
SI5461EDC-T1-E3 Hakkında
SI5461EDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (45mΩ @ 5A, 4.5V) ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği ve kontrollü gate gerilim aralığı (±12V) ile hassas sürücü uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, anahtarlamalı güç kaynakları ve düşük voltaj elektronik devrelerde tercih edilen bir komponenttir. Lojik seviye sürüşü gerektiren uygulamalar için 1.8V ve 4.5V drive voltaj seçenekleri mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok