Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5459DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5459DU

SI5459DU-T1-GE3 Hakkında

SI5459DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK ChipFET Single paketinde sağlanan bu bileşen, -50°C ile +150°C arasında çalışır. 52mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sunar ve 3.5W (Ta) veya 10.9W (Tc) güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 26nC gate charge ve 665pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisiyle, güç yönetimi, motor kontrol, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 665 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFET™ Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok