Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5458DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® ChipFET™ Single
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5458DU
SI5458DU-T1-GE3 Hakkında
SI5458DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 41mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® ChipFET™ paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 3.5W (Ta) güç tüketimine sahip kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 10.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok