Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5457DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5457DC
SI5457DC-T1-GE3 Hakkında
SI5457DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 6A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 1206-8 DFN (ChipFET™) paketi içinde sunulur. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında da tercih edilir. 1.4V gate threshold voltajı ve hızlı anahtarlama özelliği ile tasarımcılara esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok