Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI5456DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET

Üretici
Vishay
Seri / Aile Numarası
SI5456DU

SI5456DU-T1-GE3 Hakkında

SI5456DU-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® ChipFET™ Single paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. Maksimum 10mOhm on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 4.5V ve 10V drive voltage seçenekleri bulunmaktadır. Gate charge 30nC @ 10V ve input capacitance 1200pF @ 10V değerleriyle karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında dayanıklıdır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli çalışma ortamı sunar. Güç uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC konverterler gibi düşük voltaj, orta akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. Parça güncel olarak obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFET™ Single
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok