Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI5449DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI5449DC
SI5449DC-T1-GE3 Hakkında
SI5449DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç sağlayarak enerji kaybını minimize eder. 8-pin SMD flat lead paketinde temin edilen bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, AC/DC dönüştürücüler ve genel güç anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ChipFET™ teknolojisi ile kompakt tasarım ve yüksek entegrasyon sağlanmıştır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok